ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM2NB60CH C5G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM2NB60CH C5G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
ສິນຄ້າ:
12896974
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM2NB60CH C5G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
44W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-251 (IPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
75
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD3NK80Z-1
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD3NK80Z-1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.73
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
